主要成分：通常由 90% 的氧化銦（In?O?）和 10% 的氧化錫（SnO?）組成，這一比例在實際應用中能實現透明性和導電性的理想平衡。
外觀特性：在靶材形態(tài)下，顏色通常為淺黃色至淺綠色，而制成薄膜后則具有透明性。
良好的導電性：ITO 薄膜的電阻率可達 10??Ω?cm，具有較低的電阻和較高的載流子濃度，能夠有效地傳輸電流，滿足各種電子設備的導電需求。
熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環(huán)境下進行燒結，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結構，使得 ITO 靶材具有更高的電導率和機械強度，但該工藝成本較為昂貴。
物理化學性能
物理性質：
密度：7.31 g/cm3，熔點 156.6℃，沸點 2080℃，常溫下可彎曲而不碎裂。
導電性：電導率約 1.1×10? S/m，僅次于銀、銅，適用于高頻電子元件。
化學性質：
常溫下在空氣中穩(wěn)定，加熱至 100℃以上會氧化生成 In?O?；可溶于強酸（如鹽酸、硫酸），但在堿中穩(wěn)定性較高。
