主要成分:通常由 90% 的氧化銦(In?O?)和 10% 的氧化錫(SnO?)組成,這一比例在實際應用中能實現透明性和導電性的理想平衡。
外觀特性:在靶材形態(tài)下,顏色通常為淺黃色至淺綠色,而制成薄膜后則具有透明性。
良好的導電性:ITO 薄膜的電阻率可達 10??Ω?cm,具有較低的電阻和較高的載流子濃度,能夠有效地傳輸電流,滿足各種電子設備的導電需求。
熱等靜壓(HIP)工藝:在高溫和高壓環(huán)境下進行燒結,能夠顯著提高材料的致密度,減少材料中的孔隙,改善材料的微觀結構,使得 ITO 靶材具有更高的電導率和機械強度,但該工藝成本較為昂貴。
物理化學性能
物理性質:
密度:7.31 g/cm3,熔點 156.6℃,沸點 2080℃,常溫下可彎曲而不碎裂。
導電性:電導率約 1.1×10? S/m,僅次于銀、銅,適用于高頻電子元件。
化學性質:
常溫下在空氣中穩(wěn)定,加熱至 100℃以上會氧化生成 In?O?;可溶于強酸(如鹽酸、硫酸),但在堿中穩(wěn)定性較高。