微觀結(jié)構(gòu):銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間,密度高于 7.31g/cm3,熱導(dǎo)率保持在 81.8W/(m?K) 以上,這些技術(shù)參數(shù)直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質(zhì)量。
粉末冶金法:將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合,隨后進(jìn)行預(yù)燒結(jié),以獲得初步的靶材結(jié)構(gòu)。預(yù)燒結(jié)步驟通常在相對(duì)低溫下進(jìn)行,目的是通過部分熔融促進(jìn)粉末顆粒的結(jié)合,同時(shí)防止過早的晶粒長大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關(guān)鍵一環(huán)。
顯示技術(shù)領(lǐng)域:廣泛應(yīng)用于 LCD、OLED、AMOLED 等平板顯示器件中作為透明電極,確保顯示設(shè)備既能透光顯示圖像,又能導(dǎo)電傳輸信號(hào)。
合金與特殊材料(占比約 10%):
銦錫合金:熔點(diǎn)低至 120℃,用于保險(xiǎn)絲、牙科材料;銦鉛合金可作為核反應(yīng)堆的中子吸收材料。
銦箔與涂層:高純銦箔用于真空密封、輻射屏蔽(如 X 射線探測(cè)器),或作為耐腐蝕涂層(如海洋工程)。
科研與新興領(lǐng)域:
量子點(diǎn)顯示、鈣鈦礦電池、柔性電子器件等前沿技術(shù)中,精銦作為高純?cè)嫌糜诒∧こ练e或材料合成。