硅片回收工藝流程具體介紹如下：

切片：將單晶硅棒切成具有幾何尺寸的薄硅片。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。

退火：雙工位熱氧化爐經(jīng)氮氣吹掃后，用紅外加熱至300~500，硅片表面和氧氣發(fā)生反應，使硅片表面形成二氧化硅保護層。 倒角：將退火的硅片進行修整成圓弧形，防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。